描述
GE WES5302-111反射内存模块
产品概述
GE WES5302-111是一款反射内存模块，用于存储数据和程序。它通常用于工业控制系统、数据采集系统和测试测量系统中，提供快速、可靠和安全的存储解决方案。GE是全球知名的电气设备制造商，他们的产品以高性能、高可靠性和安全性著称。WES5302-111反射内存模块采用坚固耐用的设计，可承受恶劣的环境条件，并具有多种功能，使其成为各种应用的理想选择。
WES5302-111 GE
产品参数
型号：WES5302-111
内存类型：DDR4 SDRAM
容量：2 GB
速度：2666 MHz
电压：1.2 V
工作温度范围：-40°C至85°C
存储温度范围：-55°C至125°C
湿度：5%至95%(非冷凝)
防护等级：IP67
尺寸：133 mm x 42 mm x 3 mm
重量：0.01 kg
产品规格
ECC：支持
功耗：最大4 W
系列
WES5302-111属于WES5300系列反射内存模块。该系列模块具有以下特点：
高性能
高可靠性
安全性高
特征
WES5302-111反射内存模块具有以下特征：
高速：2666 MHz速度
高容量：2 GB容量
低功耗：最大4 W功耗
支持ECC：提高数据完整性
坚固耐用：可承受恶劣的环境条件
易于安装和维护
WES5302-111 GE
作用
GE WES5302-111反射内存模块的作用是存储数据和程序。它可以帮助用户轻松地存储和访问控制系统、数据采集系统和测试测量系统所需的数据和程序。
用途
GE WES5302-111反射内存模块可用于各种应用，包括：
工业控制系统：存储控制程序和数据
数据采集系统：存储采集到的数据
测试测量系统：存储测试结果和数据
应用领域
GE WES5302-111反射内存模块可应用于以下领域：
制造业
能源
公用事业
交通运输
国防
